在芯片性能领域，摩尔定律依然是半导体行业最持久的创新叙事，尽管其终结的预言屡见不鲜。每一项新的逻辑与存储节点技术突破都被视为技术飞跃，进一步强化了“进步完全依赖最新最强工具”的认知。
其中，极紫外（EUV）光刻技术最为典型——它已成为延续摩尔定律、实现3纳米及以下先进制程制造的核心里程碑，也是当前芯片设计前沿能力的标志性成就。该技术频频登上头条，吸引巨额投资，并象征着芯片制造的极限可能。
然而，实际情况远比表面呈现得更为复杂。
在EUV聚光灯之外，存在一个长期被低估却同样关键的基础系统——它对先进制程的顺利实现不可或缺。现代芯片制造从来不是单一技术的成果，而是多种工艺协同作用的结果，其中包括多种光刻技术。其中一项至关重要的支撑技术便是深紫外（DUV）光刻，它早于EUV出现，至今仍是先进节点量产中不可替代的一环。
EUV的崛起并未削弱KrF、ArF及ArF浸没式等技术的作用，反而对其提出了更高要求。其他辅助层的持续创新，才是决定EUV能否充分释放潜力的根本因素。
光刻各层面临的材料挑战
现代芯片制造需使用覆盖多种工艺技术的光刻材料，这些技术各自工作在截然不同的波长下，配备不同设备并运行于差异化的工艺条件中。
从沿用数十年的成熟方案，到渐进式改进，再到全新开发的工艺与配套材料，整个体系极为复杂。正因如此，DUV光刻成为应对当前先进节点生产中材料限制的关键且持续演进的技术。
随着光刻技术发展，材料需求并未趋同，反而日益分化。
对于DUV而言，核心材料诉求虽已熟知，但要求愈发严苛：需在宽泛的工艺窗口内实现高分辨率与精准图形控制；在大规模量产中有效管理缺陷；并在规模化生产中保障工艺稳定性与吞吐效率。
EUV则引入额外复杂性：材料必须在极低光子通量下工作，应对影响图形保真度的随机效应，同时兼容高真空环境。
高端芯片制造需要一整套光刻解决方案来应对上述挑战，包括光刻胶、底层膜、掩模清洗剂及其他能在同一工艺流程中跨多个技术节点稳定运行的配套材料。
针对某一特定波长优化的材料无法简单迁移至另一波长场景——每一层都需独立定制解决方案。
EUV的兴起及其被简化的叙事
EUV是这一动态关系最鲜明的例证，却也常被误解。其占据头条地位情有可原：凭借13.5纳米波长，EUV能以更少的多重图形化步骤实现更紧密的图形排布，对先进节点中最密集的逻辑特征至关重要，全球最具影响力的科技企业均高度依赖该技术。
但普遍认为EUV是解决尺寸微缩问题的“万能钥匙”，这种观点实属偏颇。实际制造中，EUV仅被选择性应用于部分工艺环节，其余大量步骤仍严重依赖其他光刻技术。
事实上，在尖端节点中，采用DUV光刻的层数通常是EUV的两到三倍。换言之，EUV并非独立运作的光刻方案；先进节点生产依赖的是混合光刻策略。
DUV光刻：先进逻辑芯片背后的隐形支柱
尽管DUV有时被视为“成熟”甚至“已解决”的技术，这种误解掩盖了其对先进节点量产在规模、良率与成本方面的持续直接影响。
即便在最前沿的芯片制造中，DUV仍是核心工艺之一：193纳米浸没式（ArF）用于诸多关键及半关键层的精细图形化；248纳米（KrF）则服务于特定图形化与支持层。
事实上，ASML最新ArF浸没式光刻机等设备的进步，正体现DUV技术的持续演进。提升产能、实现更精细图形化、增强与EUV系统的协同匹配能力，都是DUV能力不断拓展的方向。
材料层面同样在同步推进：客户正推动ArF技术向最小特征尺寸（即“终极分辨率”）迈进；我们也在同步降低线宽粗糙度与关键尺寸均匀性的波动。
良率、产能、可靠性与成本构成了完整图景：多数层无需EUV级分辨率，而DUV可在已验证合格、正在高产线稳定运行的设备上提供全部优势，同时填补EUV尚存局限（如线边缘粗糙度与随机缺陷）所留下的空白。
DUV并非静待淘汰，而是在与EUV并行进化；先进节点制造的成功，离不开二者的协同共进。
完整的光刻生态系统
尽管EUV在先进节点制造中备受关注，DUV却默默支撑着制程微缩与效率提升。摩尔定律的延续并非靠单一技术替代，而是依靠多工艺技术持续创新的整合。从KrF、ArF、ArF浸没式到EUV，涵盖底层膜、清洗剂与光刻胶等多个领域的多样化进展，共同构成进步空间。全球最先进的芯片，依赖的是横跨多种技术、波长与材料体系的光刻生态。对该生态的持续投入与创新，至关重要。
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